Chiny tworzą najmniejszy na świecie tranzystor z bramką 0,34 nm, co jest ograniczeniem dla nowoczesnych materiałów
Grupa naukowa z Niebiańskiego Imperium była w stanie wymyślić unikalny projekt tranzystora. Ich rozwiązanie konstrukcyjne umożliwiło uzyskanie najmniejszego tranzystora na świecie o długości bramki 0,34 nm.
Nie ma już możliwości dalszego zmniejszania gabarytów rolety za pomocą tzw. tradycyjnych procesów technologicznych. W końcu uzyskana długość bramki jest równa szerokości pojedynczego atomu węgla.
Jak inżynierom udało się osiągnąć taki wynik?
Od razu powiem, że w tej chwili rozwój chińskich inżynierów jest eksperymentalny i na razie nie może pochwalić się wybitnymi parametrami technicznymi.
Ale mimo to inżynierowie pokazali samą możliwość takiej koncepcji, a także możliwość jej odtworzenia przy użyciu tradycyjnych procesów technologicznych.
Tak więc naukowcy nazwali powstałe urządzenie „Tranzystorem bocznym”. Tak, sama idea pionowej orientacji kanału tranzystorowego nie jest nowa i została nawet wdrożona przez Samsunga i IBM. Ale inżynierom Państwa Środka naprawdę udało się wszystkich zaskoczyć.
Rzecz w tym, że przesłona w powstałym urządzeniu to cięcie zaledwie jednej atomowej warstwy grafenu, której grubość odpowiada grubości jednego atomu węgla i jest równa 0,34 nm.
Technologia uzyskania najmniejszego tranzystora na świecie
Tak więc, aby uzyskać taki tranzystor, naukowcy wzięli za podstawę zwykłe podłoże krzemowe. Następnie na tym podłożu wykonano parę stopni ze stopu tytanu i palladu. A na wyższym poziomie umieszczono arkusz grafenu. I jak podkreślili naukowcy, przy takim układaniu nie jest potrzebna szczególna dokładność.
Następnie na arkusz grafenowy nałożono warstwę aluminium wstępnie utlenionego w powietrzu (tlenek pełni funkcję izolatora konstrukcji).
Po umieszczeniu aluminium rozpoczyna się zwykły proces trawienia, odsłaniając krawędź grafenu, a także cięcie aluminiowej nakładki.
W ten sposób uzyskuje się migawkę grafenową o długości zaledwie 0,34 nm, podczas gdy kawałek aluminium otwiera się nieco nad nią, co już jest w stanie utworzyć obwód elektryczny, ale nie bezpośrednio.
W kolejnym kroku na stopnie oraz na część boczną kładzie się tlenek hafnu, który jest izolatorem czas nie pozwala bramce na utworzenie połączenia elektrycznego z resztą tranzystora, a także z kanałem tranzystor.
I już na warstwie hafnu kładzie się półprzewodnikowy dwutlenek molibdenu, który po prostu pełni rolę kanału tranzystorowego, którego sterowanie leży na bramce w postaci plastra grafenu.
W ten sposób naukowcy uzyskali strukturę, której grubość jest równa tylko dwóm atomom i bramce jednego atomu. W tym przypadku drenem i źródłem tego tranzystora są metalowe styki, które zostały osadzone na dwutlenku molibdenu.
W ten sposób udało nam się uzyskać najmniejszy tranzystor na świecie z bramką 0,34 nm.
Jeśli podobał Ci się materiał, nie zapomnij go ocenić, a także zasubskrybuj kanał. Dziękuję za uwagę!